RFS-E 10
Scannersonde 30 MHz bis 3 GHz
Kurzbeschreibung
Die Elektrode in der Unterseite des Sondenkopfes der E-Feld Scannersonde RFS-E 10 ist ca. 0,2 mm breit. Damit können kleinste E-Feldquellen lokalisiert werden, z.B. 0,1 mm breite Leiterzüge, einzelne IC-Pins an hochpoligen ICs.
Die RFS-E 10 ist eine passive E-Feld Scannersonde. Typischerweise wird der Sondenkopf direkt auf das Messobjekt aufgesetzt (hohe elektrische Feldstärke). Die RFS-E 10 hat eine Mantelstromdämpfung und die Oberseite des Sondenkopfes ist elektrisch geschirmt. Die E-Feldscannersonde wird an einen Spektrumanalysator oder ein Oszilloskop mit 50 Ω Eingang angeschlossen. Die E-Feldsonde besitzt intern keinen 50 Ω Abschlusswiderstand.
Technische Parameter
| Frequenzbereich | 30 MHz ... 3 GHz |
| Auflösung | ≈ 0.2 mm |
| Maße Sondenkopf: | ≈ (0.5 x 2) mm |
| Anschluss - Ausgang | SMA, male, jack |
| Frequenzgang [dBµV] / [dBµA/m] |
![Frequenzgang [dBµV] / [dBµA/m]](/fileadmin/Bilder300/Disturbance emission_near field probe_RFS-E 10_frequency response_en_wGM.png?v=1740294010534)
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| Korrekturkurve E-Feld [dBµV/mm] / [dBµV] |
![Korrekturkurve E-Feld [dBµV/mm] / [dBµV]](/fileadmin/Bilder300/Disturbance emission_near field probe_RFS-E 10_E-field correction curve_en_wGM.png?v=1740294010534)
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| Messprinzip |
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